Ao que tudo indica, parece que a Samsung Electronics poderá marcar o nome na história graças ao maior disco SSD do mundo. O objetivo é que este tenha um tamanho de cerca de um petabyte (1000 terabytes).
Segundo a Tweak Town, é bem possível que o cartão referido esteja mais próximo de chegar do que antes se previa. Isso contraria a informação que vinha sendo relatada, nos últimos tempos.
Não há data concreta, mas uma nova pesquisa levanta a hipótese de estar mais próximo do que se pensava
Recorde-se que, em março de 2023, começaram a aparecer relatos de que a Samsung iria demorar cerca de 10 anos para conseguir este feito. O sucesso de algumas novas pesquisas levantam a possibilidade de que, afinal, poderá demorar bem menos.
Posto isto, a verdade é que um cartão SSD de 1000 terabytes pode demorar algum tempo. Contudo, a parte boa é que há um estudo que sugere que esse objetivo é uma realidade que pode ser mais próxima do que o estimado.
A investigação foi feita por Giwuk Kim, do Departamento de Engenharia Elétrica do Instituto Avançado de Ciência e Tecnologia da Coreia (KAIST). Esta faz uma análise sobre a Hafnia Ferroeletrics e aborda a possibilidade de cartões mais eficientes.
A investigação conta com a co-autoria da Samsung
O mais curioso de tudo isto é que o trabalho contou com a co-autoria de quem? Pois claro, da Samsung Electronics. Quanto ao título do trabalho, este é "Análise aprofundada dos ferroelétricos Hafnia como um facilitador chave para baixa tensão e QLC 3D VNAND além da demonstração e modelagem experimental da camada 1K" (via Tweak Town).
Por tudo isto, poder-se-á colocar a hipótese de que a Samsung está já com as baterias apontadas para a conceção de um cartão de 1000 terabytes. Efetivamente, não se conhece uma data concreta, mas o sucesso de algumas ilações tiradas dão alento a que uma solução possa estar a caminho, em menos de 10 anos.
Ainda que os termos sejam bastante técnicos, no trabalho pode ler-se:
“Demonstramos experimentalmente uma notável melhoria de desempenho, impulsionada pela interação de efeitos de captura de carga e comutação ferroelétrica (FE) no interlayer de porta projetada de banda metálica (BE-G.IL) - interlayer de canal FE (Ch.IL) -Si ( MIFIS) FeFET.
O MIFIS com BE-G.IL (BE-MIFIS) facilita o 'feedback positivo' maximizado (Posi. FB.) de efeitos duplos, levando a baixa tensão de operação (VPGM/VERS: +17/-15 V). ), uma ampla janela de memória (MW: 10,5 V) e perturbação insignificante a uma tensão polarizada de 9 V.”
Os indícios são bons e fazem prever que a Samsung poderá atingir o objetivo em menos tempo do que se achava. Resta esperar por desenvolvimentos futuros.
