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Samsung Galaxy S9 terá uns meros 512GB de armazenamento interno

Bem, daqui a uns meses não vais ter que comprar um disco externo, certo? Sinceramente, o que me dizem disto?

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Sede da marca em San Jose, CA

A Samsung Electronics Co., Ltd., anunciou que começou a produzir em massa a primeira solução de Memória Flash Universal. Solução integrada para armazenamento interno. Chama-se embedded Universal Flash Storage – eUFS com 512 GB e é destinada à próxima geração de dispositivos móveis. Ora, perante tamanha ênfase neste anúncio é de esperar que o seu próximo topo de gama. O Samsung Galaxy S9 já tire proveito desta inovação.

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Com recurso aos mais recentes chips Samsung V-NAND de 64 layers (camadas) e 512GB da Samsung, as novas memórias de 512GB oferecem uma capacidade de armazenamento incomparável. Com um impressionante desempenho. Podendo ser utilizadas nos smartphones e tablets da próxima geração. Mesmo a tempo de integrarem os Samsung Galaxy S9 e S9+.

Para quê um cartão de memória se podes ter 512GB de armazenamento interno?

A nova eUFS de 512GB da Samsung disponibiliza atualmente a melhor solução integrada de armazenamento destinada à próxima geração de smartphones premium. Ao ultrapassar as eventuais limitações de desempenho do sistema com a utilização de cartões Micro SD”.

Disse Jaesoo Han, Vice-Presidente Executivo da área de Memory Sales & Marketing (Vendas e Marketing de Memórias) na Samsung Electronics. “Com o fornecimento antecipado e estável desta avançada solução de armazenamento integrado. A Samsung está a dar um grande passo no contributo para o lançamento oportuno da próxima geração de dispositivos móveis em todo o mundo.” – acrescenta Han. Ora, por próxima geração de dispositivos móveis premium só nos surge um nome, os Samsung Galaxy S9.

Samsung Galaxy S9 armazenamento interno - cópia
O novo módulo de memória da gigante sul-coreana

Composto por oito chips Samsung V-NAND de 64 layers (camadas) e 512GB e por um controlador. Todos sobrepostos entre si, a nova Memória Flash Universal (UFS) de 512GB da empresa sul-coreana duplica a densidade das anteriores Memórias Flash Universal integradas de 256GB baseadas em chips V-NAND de 48 layers (camadas). Utilizando o mesmo espaço ocupado pela solução de 256GB.

Samsung Galaxy S9 poderá beneficiar deste armazenamento interno

O aumento da capacidade de armazenamento da Memória Flash Universal integrada da tecnológica (eUFS) permite uma experiência de mobilidade mais extensa. Permitindo que um smartphone de topo guarde, por exemplo, aproximadamente 130 videoclipes em 4K Ultra HD. Designação equivalente à resolução 3840×2160 pixéis. Clips com uma duração aproximada de 10 minutos.

Algo que traduz um aumento de capacidade 10 vezes superior ao disponibilizado pelas Memórias Flash Universal integradas da marca sul-coreana (eUFS) de 64GB. Estas permitiam armazenar apenas cerca de 13 vídeos desta dimensão. Aumentos bastante consideráveis.

Para maximizar o desempenho e a eficiência energética das novas Memórias Flash Universal integradas da marca sul-coreana (eUFS) de 512GB, a marca recorreu ao design de circuitos avançados do chip Samsung V-NAND de 64 layers (camadas) e 512GB. Bem como à nova tecnologia de gestão energética do controlador da Memória Flash Universal integrada da empresa (eUFS) de 512GB.

A marca está a preparar estas e outras novidades para os Samsung Galaxy S9

Tecnologias que minimizam o inevitável aumento de consumo de energia. Algo que é particularmente relevante pelo facto de a nova solução eUFS de 512GB possuir o dobro das células, comparativamente com a eUFS de 256GB.

Para além disso, o controlador da Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS) de 512GB tem a capacidade de acelerar o processo de mapeamento. Isto para conversão dos endereços de blocos lógicos para os endereços de blocos físicos.

A Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS) de 512GB da Samsung possui um forte desempenho de leitura e de escrita/gravação. A sua leitura e gravação sequencial atingem os 860 megabytes por segundo (MB/s). Bem como os 255 megabytes por segundo (MB/s), respetivamente.

Samsung Galaxy S9 armazenamento interno - cópia
O possível aspecto da versão “Plus” dos próximos topo de gama da tecnológica sul-coreana

Permitindo a transferência de um clipe de vídeo em Full HD, equivalente a 5GB, para um SSD em cerca de seis segundos – o que representa uma velocidade oito vezes superior à de um típico cartão MicroSD.

Em operações aleatórias, a nova Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS) pode ler 42.000 operações de entrada e saída por segundo. IOPS – Input/Output Operations Per Second e escrever 40.000 operações de entrada e saída por segundo (IOPS).

Samsung Galaxy S9 e S9+ deverão ser apresentados em finais de fevereiro

De acordo com as rápidas gravações aleatórias da Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS). Estas são aproximadamente 400 vezes mais rápidas que a velocidade de 100 IOPS de um cartão MicroSD convencional.

Posto isto, os utilizadores móveis podem usufruir de experiências multimédia perfeitas. Desde o disparo sequencial de alta resolução na câmara fotográfica a pesquisa de ficheiros. Bem como o download de vídeos no modo de visualização dual-app. As possibilidades são múltiplas.

A marca pretende, não só aumentar progressivamente o volume de produção dos seus chips Samsung V-NAND de 64 layers (camadas) e 512GB. Mais ainda, pretende também expandir a produção de chips Samsung V-NAND de 256GB para armazenamento interno.

Esta estratégia deverá responder ao aumento da procura de soluções avançadas de armazenamento interno móvel integrado. Também as Memórias SSD premium e de cartões de memória amovíveis com alta densidade e desempenho. Agora, esperemos por mais novidades em torno do Samsung Galaxy S9. Algo que não tardará.

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FonteSamsung
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