O tipo de armazenamento interno presente nos nossos dispositivos móveis comporta diferenças significativas na velocidade de leitura e escrita de ficheiros. Assim, de momento o padrão mais veloz é o UFS 3.1, contudo, a Samsung acaba de apresentar uma nova solução que promete velocidades consideravelmente superiores com o padrão UFS 4.0.
Chegou o Universal Flash Storage (UFS) 4.0 com velocidades até 4200 MB/s de leitura e 2800 MB/s de escrita sequencial, com uma eficiência energética acrescida, ou 6,0 MB/s por mA. Ou seja, representa uma melhoria de 46% face à geração anterior e poderá ser configurada em até 1 TB para utilização em smartphones.
Padrão UFS 4.0 chega pelas mãos da Samsung
O padrão UFS 3.1 da Samsung é particularmente rápido e eficiente, mas no novo padrão temos ganhos dignos de nota. O anúncio foi feito pelo painel de diretores Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) da Samsung, dando luz verde ao novo padrão.
Note-se que o padrão UFS 4.0 é baseado nas memórias V-NAND de 7.ª geração da própria Samsung, os componentes de última geração.
Segundo a gigante sul-coreana a produção em massa dos novos chips de memória flash começará no terceiro trimestre de 2022. Desse modo, os primeiros smartphones a integrar este chipset chegarão ao mercado no final do ano.
Melhorias de 46% face ao padrão UFS 3.1 de memória flash
Ainda de acordo com a Samsung, os novos chips UFS 4.0 terão dimensões reduzidas face aos atuais chips UFS 3.1, medindo 11 mm x 13 mm x 1 mm. Ou seja, também permitirão uma melhor gestão do espaço e redução dos componentes internos. Isto permitirá às fabricantes tirar mais proveito do espaço interior dos seus smartphones, tablets e demais dispositivos móveis.
Em suma, o novo padrão de memória flash permitirá aos smartphones tornarem-se mais rápidos e compactos. Agora, resta aguardar pela chegada ao mercado das primeiras unidades no último trimestre de 2022.
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