Samsung lança-se na produção de chips a 3 nm e supera a TSMC

Rui Bacelar
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A sul-coreana Samsung deu início à produção em massa de semicondutores a 3 nm. A nova litografia promete melhorar em até 45% o consumo energético. Para além disso, o novo processo garantirá uma melhoria de até 23% no desempenho. Em simultâneo, os chips ocuparão uma área 16% menor face aos transístores com litografia de 5 nm.

Este feito permitirá à Samsung produzir chipsets mais poderosos que consomem menos energia. Ou seja, processadores mais capazes que garantam, em simultâneo, uma melhor autonomia de bateria. Para além disso, a sul-coreana sai assim à frente da principal rival neste segmento, a TSMC sediada em Taiwan.

Samsung deu início à produção em massa de chips a 3 nm

Samsung 3 nm

O anúncio foi feito pela própria tecnológica sul-coreana dando conta do início da produção em série destes componentes com maior eficiência energética. Por outro lado, segundo informa a Bloomberg, a rival TSMC estará ainda atrasada nesta corrida, com o seu método de produção a ficar pronto durante a segunda metade de 2022.

Para a Samsung esta é uma importante vitória que se traduzirá em vantagens palpáveis para o consumidor. Na prática, temos uma grande eficiência energética (45%) face aos processadores atuais a 5 nm.

Para além disso os componentes poderão ser ainda mais compactados e ocupar até menos 16% de área, além dos ganhos de 23% no poder de processamento e desempenho.

Today, we are proud to announce that we have begun initial production of our 3-nanometer(nm) process node applying our Gate-All-Around(GAA) transistor architecture. Read more here: https://t.co/feveuBfaKO pic.twitter.com/Yo5gEltddK

— Samsung Semiconductor (@SamsungDSGlobal) 30 de junho de 2022

Em síntese, um próximo processador fabricado a 3 nm entregará melhorias energéticas que podem chegar aos 50%. Em simultâneo, serão até 30% mais poderosos, além de menores, o que libertará espaço para outros componentes internos.

Chipsets mais poderosos e com forte redução no consumo energético

Samsung

O cerne do novo método de construção de semicondutores repousa na arquitetura MBCFET. Na prática, de acordo com a Samsung, este processo é a evolução da tecnologia GAA (Gate-All-Around) que utiliza transístores em forma de nanocamadas. Por sua vez, estes têm uma largura passível de ajuste de modo a reduzir o consumo energético. Em simultâneo, podem aumentar o desempenho ao permitir a passagem de corrente elétrica.

A sul-coreana informa ainda que inicialmente os chips a 3 nm serão produzidos para dar primazia à alta performance, com baixo consumo energético, aplicado primeiramente à computação. Não obstante, a Samsung afirma que eventualmente esta tecnologia será aplicada também ao formato mobile, para dispositivos móveis.

Por fim, tal como refere ainda a publicação Bloomberg, a Samsung planeia produzir estes chips também na sua nova fábrica a ser construída no estado norte-americano do Texas. Aí, a produção só começará em 2024 de acordo com os planos da empresa, mas será um forte reforço para fazer frente à atual escassez de semicondutores.

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Rui Bacelar
Rui Bacelar
Na escrita e comunicação repousa o gosto, nas leis a formação. Ocupa-se com as novidades de tecnologia na 4gnews. Email: ruifbacelar@gmail.com