O Samsung Galaxy S25+ surgiu, mais uma vez, na plataforma Geekbench. Mas agora o desempenho do modelo impressiona com resultados positivos bastante significativos. E o segredo está todo no seu interior, onde aloja o processador Snapdragon 8 Elite.
Galaxy S25+ supera resultados do modelo base da Samsung
Nesta sua segunda passagem pela plataforma de benchmarking Geekbench, o Galaxy S25 obteve uma pontuação incrível de 3160 pontos em testes de núcleo único e 9941 pontos em multi-core.
Ora esta nova pontuação supera o modelo base Galaxy S25 que registou 2481 e 8658 pontos em testes single e multi-core, respetivamente.
Mas ainda mais impressionante, o próximo modelo Plus da Samsung conseguiu também superar-se a si próprio. Recorde-se que o Galaxy S25+ já tinha passado pela conhecida plataforma de benchmarking equipado com o chip Exynos 2500, proprietário da marca.
Nessa altura, conseguiu 2359 pontos em testes de núcleo único e 8141 pontos em multi-core. Os novos resultados foram obtidos com o processador Snapdragon 8 Elite no seu interior com uma velocidade de clock de 4,47 GHz – superior ao clock de 4,32 GHz da versão padrão.
Esta segunda passagem pela plataforma Geekbench revelou igualmente que o Galaxy S25+ vai estar equipado com 12 GB de memória RAM, à semelhança do modelo anterior.
Estes testes vêm reforçar o rumor de que, a próxima geração Galaxy S25 da Samsung, poderá estar toda equipada com o processador Elite da Qualcomm. Aliás, várias fontes sugerem agora que o chip Exynos 2500 está reservado para ser incluídos nos próximos smartphones dobráveis da gigante sul-coreana.
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