Recentemente, o novo Samsung Galaxy S25 FE passou pela plataforma Geekbench, a qual fez uma revelação surpreendente sobre o terminal.
O próximo modelo mais acessível da série Galaxy S pode estar equipado com o chip Exynos 2400, o que significa um aumento de desempenho face ao modelo anterior que conta com o Exynos 2400e.
Nem Qualcomm, nem MediaTek para ser possível um custo mais acessível
A novidade chega através do site Phone Arena e deita por terra os rumores que avançavam que o Galaxy S25 FE podia estar equipado com um chip da Qualcomm ou da MediaTek.
Para conseguir um preço final de venda ao público mais simpático e acessível, a Samsung vai recorrer à “prata da casa” e equipar o novo terminal com um chip próprio.
Na prática para os utilizadores, o chip Exynos 2400 vai trazer um aumento no desempenho. Visto que a diferença entre este chip e o Exynos 2400e é um clock maior 100 MHz, este aumento será ligeiro, ainda que visível.
O que sabemos sobre o Samsung Galaxy S25 FE
A plataforma Geekbench revelou também que o Galaxy S25 FE vai estar equipado com 8 GB de memória RAM. Tudo para conseguir lidar com os recursos Galaxy IA que é esperado que estejam aqui integrados.
Outra confirmação dada pela conhecida plataforma de benchmarking é que o modelo chega a executar Android 16, sob a interface One UI 8.
Alguns rumores anteriores avançaram que a Samsung vai também atualizar a câmara frontal para 12 megapixéis. Recorde-se que o modelo anterior conta com um sensor de 10 megapixéis na zona frontal.
É esperado que o Samsung Galaxy S25 FE chegue no próximo outono. Mas antes disso, a gigante sul-coreana vai ainda lançar as suas novas gerações de smartphones dobráveis.
